2024中國深圳國際半導(dǎo)體技術(shù)及應(yīng)用展會|華南第三代半導(dǎo)體展覽會

China(Shenzhen) International Semiconductor Exhibition 2024

時 間：2024年12月4～6日

地 點(diǎn)：深圳國際會展中心(寶安)

發(fā)展前景：

為了更好的推動半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展，在得到國家各級主管部門的大力支持下，2024中國（深圳）國際半導(dǎo)體展覽會將于2024年12月4-6日在深圳國際會展中心（寶安新館）隆重舉行。本次大會將以“突出品牌、開拓創(chuàng)新、注重實(shí)效”的辦展宗旨，憑借獨(dú)特的創(chuàng)意，科學(xué)合理的整合傳播和卓越的服務(wù)，以全新的理念為廣大參展商提供一個“高水準(zhǔn)、高品位、高質(zhì)量”的展示交流舞臺，打造集半導(dǎo)體行業(yè)最具規(guī)模，最有價值和最具權(quán)威的頂級盛會，本次展會期待您的參與。

詳詢主辦方劉先生（同微）

130（前三位）

2313（中間四位）

0315（后面四位）

2024中國（深圳）國際半導(dǎo)體展覽會將集中展示半導(dǎo)體行業(yè)及應(yīng)用的*新產(chǎn)品與技術(shù)，為企業(yè)樹立品牌形象，促進(jìn)貿(mào)易合作、市場開發(fā)，引領(lǐng)行業(yè)趨勢，加強(qiáng)生產(chǎn)、研發(fā)、銷售互動，深入洞悉半導(dǎo)體市場未來發(fā)展新風(fēng)向，以發(fā)展的眼光挖掘未來半導(dǎo)體市場的新需求，創(chuàng)新展會內(nèi)涵，全方位、多層次組織專業(yè)觀眾，為參展企業(yè)和參會客商提供了一個技術(shù)交流、產(chǎn)品展示和貿(mào)易洽談的平臺。期待通過這樣的展覽會議和產(chǎn)業(yè)聯(lián)動，為整體產(chǎn)業(yè)鏈帶來突破。讓參與展會的產(chǎn)品供應(yīng)商、設(shè)備提供商、產(chǎn)品制造商、終端消費(fèi)生產(chǎn)商及風(fēng)投、咨詢機(jī)構(gòu)一起，以上海國際半導(dǎo)體行業(yè)展會作為一個有效的技術(shù)溝通、產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)化交流的平臺，進(jìn)行精彩互動。

我們誠摯地邀請您，共促盛會，共享商機(jī)，共謀未來。望閣下能安排時間，屆時蒞臨。歡迎您光臨參加本屆展覽會。

參展范圍

1、IC設(shè)計(jì)、芯片展區(qū)：

IC及相關(guān)電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)、人工智能芯片、電源管理芯片、物聯(lián)網(wǎng)芯片、5G通信芯片及方案、汽車電子芯片、安全控制芯片、數(shù)模混合通訊射頻芯片、存儲芯片、LED照明及顯示驅(qū)動類芯片等

2、晶圓制造及封裝展區(qū)：

晶圓制造、SiP先進(jìn)封裝、OSATs、EMS、OEMs、IDM、硅晶圓及IC封裝載板、印制電路板、封裝基板和設(shè)備及組裝和測試等、封裝設(shè)計(jì)、測試、設(shè)備與應(yīng)用制造與測與封測、EDA、MCU、印制電路板、封裝基板半導(dǎo)體材料與設(shè)備等

3、半導(dǎo)體設(shè)備展區(qū)：

減薄機(jī)、單晶爐、研磨機(jī)、熱處理設(shè)備、光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、離子注入設(shè)備、CVD/PVD設(shè)備、固晶機(jī)、等離子清洗設(shè)備、切割機(jī)、裝片機(jī)、鍵合機(jī)、焊線機(jī)、回流焊、波峰焊、測試機(jī)、分選機(jī)、耦合機(jī)、載帶成型機(jī)、檢測設(shè)備、恒溫恒濕試驗(yàn)箱、傳感器、封裝模具、測試治具、精密滑臺、步進(jìn)電機(jī)、閥門、探針臺、潔凈室設(shè)備、水處理等

4、第三代半導(dǎo)體展區(qū)：

第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC、氮化鎵GaN、晶圓、襯底、封裝、測試、光電子器件(發(fā)光二極管LED、激光器LD、探測器紫外)、電力電子器件(二極管、MOSFET、JFET、BJT、IGBT、GTO、ETO、SBD. HEMT 等)、微波射頻器件(HEMT、MMIC)等

5、半導(dǎo)體材料展區(qū)：

硅晶圓、硅晶片、光刻膠、晶圓膠帶、光掩膜版、電子氣體、CMP拋光材料、光阻材料、濕電子化學(xué)品、濺射靶材、封測材料、切片、磨片、拋光片、薄膜等

第一代半導(dǎo)體材料：鍺、硅等單晶半導(dǎo)體材料，硅擁有1.1eV的禁帶寬度以及氧化后非常穩(wěn)定的特性。

第二代半導(dǎo)體材料：砷化鎵、銻化銦等化合物半導(dǎo)體材料，砷化鎵擁有1.4電子伏特的禁帶寬度以及比硅高五倍的電子遷移率。

第三代半導(dǎo)體材料：以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，前者多用于高壓場合如智能電網(wǎng)、軌道交通；后者則在高頻領(lǐng)域有更大的應(yīng)用（5G等），有更高飽和漂移速度和更高的臨界擊穿電壓等突出優(yōu)點(diǎn)，可以滿足現(xiàn)代社會對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等新要求，且其擁有體積小、污染少、運(yùn)行損耗低等經(jīng)濟(jì)和環(huán)保效益，因此第三代半導(dǎo)體材料正逐步成為發(fā)展的重心，成為功率半導(dǎo)體器件行業(yè)的新戰(zhàn)場。

參展提示 ：

1．索取參展報名表認(rèn)真填寫《參展申請及合約》表并加蓋公章回傳至組委會。

2．參展商申請展位后請?jiān)?個工作日內(nèi)將展位費(fèi)用電匯到大會的指定帳號，匯款后將匯款底單回傳至組委會以便核查；如在規(guī)定時間內(nèi)未能及時付款，組委會將不保留原定展位。 

3．展位順序分配原則：“先申請，先付款，先安排”。

4．為了保證大會整體形象，組委會保留調(diào)整部分參展商展位的最終權(quán)力。

組委會聯(lián)系方式：

電 話：130 2313 0305

QQ：2521136721（請說參加深圳半導(dǎo)體展）

E-mail：[email protected]

聯(lián)系人：劉 毅